DTD114E datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTD114E 📄📄
Маркировка: DB4E
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для DTD114E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTD114E даташит
dtd114e.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD DTD114E NPN SILICON TRANSISTOR NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) FEATURES * Built-in bias resistors that implies easy ON/OFF applications. * The bias resistors are thin-film resistors with complete isolation to allow negative input. EQUIVALENT CIRCUIT ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing
dtd114e.pdf
SMD Type Transistors Digital Transistors DTD114E (KDTD114E) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see equivalent circuit) 1 2 The bias resistors consist of thin-film resistors with complete +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.
pdtd114et 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D088 PDTD114ET NPN resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTD114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handboo
pdtd114et 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D088 PDTD114ET NPN resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTD114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handboo
Другие транзисторы: DTC124T, DTC143E, DTC143T, DTC143X, DTC143Z, DTC144E, DTC144T, DTD113Z, D209L, DTD143E, BUL6802, BUL6821, BUL6822, BUL6822A, BUL6823, BUL6823A, MJE13003BR
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022












