DTD114E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTD114E  📄📄 

Маркировка: DB4E

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT23 SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTD114E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD114E даташит

 ..1. Size:165K  utc
dtd114e.pdfpdf_icon

DTD114E

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD DTD114E NPN SILICON TRANSISTOR NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) FEATURES * Built-in bias resistors that implies easy ON/OFF applications. * The bias resistors are thin-film resistors with complete isolation to allow negative input. EQUIVALENT CIRCUIT ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing

 ..2. Size:982K  kexin
dtd114e.pdfpdf_icon

DTD114E

SMD Type Transistors Digital Transistors DTD114E (KDTD114E) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see equivalent circuit) 1 2 The bias resistors consist of thin-film resistors with complete +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.

 0.1. Size:49K  motorola
pdtd114et 4.pdfpdf_icon

DTD114E

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D088 PDTD114ET NPN resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTD114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handboo

 0.2. Size:49K  philips
pdtd114et 4.pdfpdf_icon

DTD114E

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D088 PDTD114ET NPN resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTD114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handboo

Другие транзисторы: DTC124T, DTC143E, DTC143T, DTC143X, DTC143Z, DTC144E, DTC144T, DTD113Z, D209L, DTD143E, BUL6802, BUL6821, BUL6822, BUL6822A, BUL6823, BUL6823A, MJE13003BR