Биполярный транзистор MJE13003BR - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJE13003BR
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO126 TO126S
Аналоги (замена) для MJE13003BR
MJE13003BR Datasheet (PDF)
mje13003br.pdf
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BRNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BRNPN MJE
mje13003brh.pdf
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BR(H)NPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BR(H)NPN MJ
mje13003b.pdf
WEITRONMJE13003BHigh Voltage Fast-switchingCOLLECTOR2.NPN Power TransistorP b Lead(Pb)-Free1. EMITTER3.2. COLLECTORBASE3. BASEDESCRIPTION:1.The device is manufactured using high voltageEMITTERTO-92Multi Epitaxial Planar technology for high switchingspeeds and medium voltage capability.It uses a Cellular Emitter structure with planar edgetermination to enh
mje13003b.pdf
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BNPN MJE
mje13003b.pdf
SEMICONDUCTOR MJE13003BTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORSWITCHING REGULATOR APPLICATION.HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED B CSWITCHING APPLICATION.FEATURESExcellent Switching TimesN DIM MILLIMETERS: ton=0.5S(Max.), tf=0.7S(Max.), at IC=1AA 4 70 MAXEKB 4 80 MAXHigh Collector Voltage : VCBO=700V. GC 3 70 MAXDD 0 45E 1 00F 1 27G 0 85H 0 45_MA
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050