Справочник транзисторов. BLD112D

 

Биполярный транзистор BLD112D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BLD112D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO126 TO126S TO92 TO92S
 

 Аналог (замена) для BLD112D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLD112D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  sisemi
 bld112d.pdf pdf_icon

BLD112D

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD112DNPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD112DNPN D /D SE

Другие транзисторы... BUL6823 , BUL6823A , MJE13003BR , MJE13003BRH , 2SB1334A , MJE13009A , BLD101D , BLD102D , 2SC828 , BLD122D , BLD122DL , BLD123D , BLD123DAL , BLD123DL , BLD128D , BLD128DA , BLD13005DX .

History: 2SA1233

 

 
Back to Top

 


 
.