BLD112D Todos los transistores

 

BLD112D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLD112D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO126 TO126S TO92 TO92S
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BLD112D Datasheet (PDF)

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BLD112D

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD112DNPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD112DNPN D /D SE

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