Справочник транзисторов. MJE13001AH

 

Биполярный транзистор MJE13001AH - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MJE13001AH
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 480 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO92 TO92S

 Аналоги (замена) для MJE13001AH

 

 

MJE13001AH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  sisemi
mje13001ah.pdf

MJE13001AH
MJE13001AH

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13001AHNPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13001AHNPN MJE

 5.1. Size:153K  foshan
mje13001a2.pdf

MJE13001AH
MJE13001AH

MJE13001A2(3DD13001A2) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25) 0.8 W CT 150 j T -55150 stg

 5.2. Size:187K  foshan
mje13001at.pdf

MJE13001AH
MJE13001AH

MJE13001AT(3DD13001AT) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25) 0.8 W CT 150 j T -55150 stg

 5.3. Size:147K  foshan
mje13001a1.pdf

MJE13001AH
MJE13001AH

MJE13001A1(3DD13001A1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25) 0.8 W CT 150 j T -55150 stg

 5.4. Size:159K  foshan
mje13001a0.pdf

MJE13001AH
MJE13001AH

MJE13001A0(3DD13001A0) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25) 0.5 W CT 150 j T -55150 stg

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top