MJE13001AH - описание и поиск аналогов

 

MJE13001AH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJE13001AH

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 480 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92 TO92S

 Аналоги (замена) для MJE13001AH

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE13001AH даташит

 ..1. Size:315K  sisemi
 mje13001ah.pdf pdf_icon

MJE13001AH

 5.1. Size:153K  foshan
 mje13001a2.pdf pdf_icon

MJE13001AH

MJE13001A2(3DD13001A2) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25 ) 0.8 W C T 150 j T -55 150 stg

 5.2. Size:187K  foshan
 mje13001at.pdf pdf_icon

MJE13001AH

MJE13001AT(3DD13001AT) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25 ) 0.8 W C T 150 j T -55 150 stg

 5.3. Size:147K  foshan
 mje13001a1.pdf pdf_icon

MJE13001AH

MJE13001A1(3DD13001A1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 0.17 A C P (Ta=25 ) 0.8 W C T 150 j T -55 150 stg

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BLD135DL, BLD137D, BLD137DL, BLD139D, BLD139DL, BLD155DL, BLDB128D, BUL68H5T, TIP41C, MJE13001H, MJE13002AHT, MJE13003HT, LB120A3, 2N4401A3, 2N4403A3, BC517A3, BC807N3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.