Биполярный транзистор 2N6409 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N6409
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: X104-1
2N6409 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N6393 , 2N639A , 2N639B , 2N64 , 2N640 , 2N6406 , 2N6407 , 2N6408 , 2SD2012 , 2N641 , 2N6410 , 2N6411 , 2N6412 , 2N6413 , 2N6414 , 2N6415 , 2N6416 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050