Справочник транзисторов. BTA1972K3

 

Биполярный транзистор BTA1972K3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTA1972K3
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO92L
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BTA1972K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  cystek
bta1972k3.pdfpdf_icon

BTA1972K3

Spec. No. : C236K3 Issued Date : 2012.10.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.25 Page No. : 1/6 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1972K3Description High BV CEO High current capability Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline TO-92L BTA1972K3 BBase CCollector EEmitter Ordering Information Device

 9.1. Size:271K  cystek
bta1952j3.pdfpdf_icon

BTA1972K3

Spec. No. : C601J3 Issued Date : 2004.05.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.03.12 Page No. : 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -5ABTA1952J3 RCESAT 150m Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA Complementary to BTC5103J3 R

 9.2. Size:210K  cystek
bta1952i3.pdfpdf_icon

BTA1972K3

Spec. No. : C601I3 Issued Date : 2005.10.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/ 5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -60VIC -5ABTA1952I3 RCESAT 150m Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.45 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.15A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA Complementary to BTC5103I3

 9.3. Size:148K  cystek
bta1952e3.pdfpdf_icon

BTA1972K3

Spec. No. : C601E3-A Issued Date : 2004.09.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/4 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1952E3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.5 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.15A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA Symbol Outline BTA1952E3 TO-220AB BBase CCollector B C E EEmi

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SD1763 | BTB1424FP | DT1613 | BM1P40A | DTS801 | ISCND436D

 

 
Back to Top

 


 
.