BTB1184J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB1184J3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для BTB1184J3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB1184J3 даташит

 ..1. Size:281K  cystek
 btb1184j3.pdf pdf_icon

BTB1184J3

Spec. No. C817J3 Issued Date 2003.04.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.12.08 Page No. 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -50V IC -3A BTB1184J3 RCESAT 130m Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics Complementary to BTD1760J3 RoHS compliant package Symbol Outline BTB1184J3 TO-252(DPAK) B

 0.1. Size:382K  cystek
 btb1184j3s.pdf pdf_icon

BTB1184J3

Spec. No. C817J3 Issued Date 2015.02.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -50V IC -3A BTB1184J3S RCESAT 130m Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics RoHS compliant and halogen-free package Symbol Outline BTB1184J3S TO-252(DPAK) B Base C Collector B C

 8.1. Size:246K  cystek
 btb1188m3r.pdf pdf_icon

BTB1184J3

Spec. No. C623M3 Issued Date 2003.05.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.12 Page No. 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -30V IC -2A BTB1188M3R RCESAT(typ) 0.22 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.65 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.1A Excellent current gain characteristics Complementary to BTD1766M3 Pb-free lead

 8.2. Size:245K  cystek
 btb1188am3.pdf pdf_icon

BTB1184J3

Spec. No. C812M3-A Issued Date 2011.02.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -40V IC -2A BTB1188AM3 RCESAT(typ) 0.22 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.65 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.1A Excellent current gain characteristics Complementary to BTD1766AM3 Pb-free lead platin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTB772J3, BTB772ST3, BTB772T3, BTB818AG6, BTB818N6, BTB826M3, BTB857AD3, BTB857D3, 2SA1015, BTB1188AM3, BTB1188M3, BTB1188M3R, BTB1197N3, BTB1198A3, BTB1198K3, BTB1198M3, BTB1198N3