Биполярный транзистор BTB1184J3 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BTB1184J3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: TO252
Аналог (замена) для BTB1184J3
BTB1184J3 Datasheet (PDF)
btb1184j3.pdf

Spec. No. : C817J3 Issued Date : 2003.04.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.12.08 Page No. : 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -50VIC -3ABTB1184J3 RCESAT 130m Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics Complementary to BTD1760J3 RoHS compliant package Symbol Outline BTB1184J3 TO-252(DPAK) B
btb1184j3s.pdf

Spec. No. : C817J3 Issued Date : 2015.02.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -50VIC -3ABTB1184J3S RCESAT 130m Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics RoHS compliant and halogen-free package Symbol Outline BTB1184J3S TO-252(DPAK) BBase CCollector B C
btb1188m3r.pdf

Spec. No. : C623M3 Issued Date : 2003.05.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -30VIC -2ABTB1188M3R RCESAT(typ) 0.22 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.65 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.1A Excellent current gain characteristics Complementary to BTD1766M3 Pb-free lead
btb1188am3.pdf

Spec. No. : C812M3-A Issued Date : 2011.02.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -40VIC -2ABTB1188AM3 RCESAT(typ) 0.22 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.65 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.1A Excellent current gain characteristics Complementary to BTD1766AM3 Pb-free lead platin
Другие транзисторы... BTB772J3 , BTB772ST3 , BTB772T3 , BTB818AG6 , BTB818N6 , BTB826M3 , BTB857AD3 , BTB857D3 , 2SC2240 , BTB1188AM3 , BTB1188M3 , BTB1188M3R , BTB1197N3 , BTB1198A3 , BTB1198K3 , BTB1198M3 , BTB1198N3 .
History: KT203VM | 2SC1236 | BUF420I | 2SB332H | GME4001 | BFR72 | BLX88
History: KT203VM | 2SC1236 | BUF420I | 2SB332H | GME4001 | BFR72 | BLX88



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733