Биполярный транзистор BTB1197N3 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BTB1197N3
Маркировка: AH
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SOT23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BTB1197N3 Datasheet (PDF)
btb1197n3.pdf

Spec. No. : C314N3 Issued Date : 2005.04.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 5 Low Saturation PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1197N3Description The BTB1197N3 is designed with high current gain and low saturation voltage with collector current up to 1A continuous. Features Low VCE(SAT) , VCE(SAT) -0.3V (I / I =-1A/-100mA) C B Large col
btb1198a3.pdf

Spec. No. : C824A3 Issued Date : 2007.02.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.12.27 Page No. : 1/7 PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1198A3Features Low V , V = -0.16V (Typ.) @ I /I =-500mA/-50mA CE(SAT) CE(SAT) C B High breakdown voltage, BV =-80V CEO Complementary to BTD1768A3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline
btb1198n3.pdf

Spec. No. : C824N3 Issued Date : 2006.06.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.13 Page No. : 1/7 PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -1ABTB1198N3RCE(SAT) 320m(typ.) Features Low V , V = -0.16V (Typ.) @ I /I =-500mA/-50mA CE(SAT) CE(SAT) C B High breakdown voltage, BV =-80V CEO Complementary to BTD1782N3 Pb-free and Halogen-f
btb1198k3.pdf

Spec. No. : C824K3 Issued Date : 2008.10.31 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.10.09 Page No. : 1/7 PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1198K3Features Low V , V = -0.16V (Typ.) @ I /I =-500mA/-50mA CE(SAT) CE(SAT) C B High breakdown voltage, BV =-100V CEO Complementary to BTD1768K3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 2N6364 | ZDT1049 | 2SC3110
History: 2N6364 | ZDT1049 | 2SC3110



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333