BTB1424N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB1424N3

Маркировка: AE

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 240 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BTB1424N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB1424N3 даташит

 ..1. Size:310K  cystek
 btb1424n3.pdf pdf_icon

BTB1424N3

Spec. No. C817N3-R Issued Date 2003.04.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.03.04 Page No. 1/6 Low V PNP Epitaxial Planar Transistor CE(sat) BVCEO -50V IC -3A BTB1424N3 RCESAT(typ.) 0.125 Features Excellent DC current gain characteristics Low Saturation Voltage V =-0.25V(typ)(I =-2A, I =-100mA). CE(sat) C B Complementary to BTD2150N3

 7.1. Size:229K  cystek
 btb1424at3.pdf pdf_icon

BTB1424N3

Spec. No. C817T3 Issued Date 2005.10.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.02.17 Page No. 1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1424AT3 Features Low VCE(sat), typically -0.3V at IC / IB = -2A / -0.1A Excellent current gain characteristics Complementary to BTD2150AT3 Pb-free lead plating package Symbol Outline BTB1424AT3 TO-12

 7.2. Size:217K  cystek
 btb1424a3.pdf pdf_icon

BTB1424N3

Spec. No. C817A3-R Issued Date 2006.05.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2008.04.24 Page 1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1424A3 Features Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTD2150A3 Pb-free package Symbol Outline BTB1424A3 TO-92 B Base C Co

 7.3. Size:216K  cystek
 btb1424ad3.pdf pdf_icon

BTB1424N3

Spec. No. C817D3 Issued Date 2005.05.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.08.15 Page No. 1/5 Low V PNP Epitaxial Planar Transistor CE(sat) BTB1424AD3 Features Excellent DC current gain characteristics Low Saturation Voltage, V =-0.3V(typ) @I =-2A, I =-100mA. CE(sat) C B Complementary to BTD2150AD3 Pb-free lead plating package Symbol Outl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTB1386Q8, BTB1412J3, BTB1424A3, BTB1424AD3, BTB1424AM3, BTB1424AT3, BTB1424FP, BTB1424L3, 2N5401, BTB1427M3, BTB1498N3, BTB1580J3, BTB1580L3, BTB1580M3, BTB1590N3, BTB4110D3, BTB4511J3