Справочник транзисторов. BTC2411S3

 

Биполярный транзистор BTC2411S3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTC2411S3
   Маркировка: P1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8.3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT323
 

 Аналог (замена) для BTC2411S3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC2411S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  cystek
btc2411s3.pdfpdf_icon

BTC2411S3

Spec. No. : C203S3-R Issued Date : 2003.11.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.11.12 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411S3Description The BTC2411S3 is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-323/SC-70 package which is designed for low power surface mount applications. Low V CE(sat

 7.1. Size:283K  cystek
btc2411n3.pdfpdf_icon

BTC2411S3

Spec. No. : C203N3 Issued Date : 2002.05.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.25 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411N3Description The BTC2411N3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.2V at I /I = 500mA/

 7.2. Size:265K  cystek
btc2411l3.pdfpdf_icon

BTC2411S3

Spec. No. : C203L3 Issued Date : 2005.02.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.11.12 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411L3Description The BTC2411L3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.2V at I /I = 500mA/

 7.3. Size:284K  cystek
btc2411n3g.pdfpdf_icon

BTC2411S3

Spec. No. : C203N3G Issued Date : 2008.12.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411N3GDescription The BTC2411N3G is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.4V at I /I = 500mA/50mA.

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP42C , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2SD362O | HA21H | CTN492 | BCW92A | BTD882J3 | 2N1728 | 2N1663

 

 
Back to Top

 


 
.