BTC2881J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTC2881J3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для BTC2881J3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC2881J3 даташит

 ..1. Size:285K  cystek
 btc2881j3.pdf pdf_icon

BTC2881J3

Spec. No. C316J3 Issued Date 2009.11.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.12.08 Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 200V BTC2881J3 IC 1A RCESAT(MAX) 0.86 Features High breakdown voltage, BV 200V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating a

 7.1. Size:236K  cystek
 btc2881m3.pdf pdf_icon

BTC2881J3

Spec. No. C316M3 Issued Date 2007.03.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.07 Page No. 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 200V BTC2881M3 IC 1A RCESAT(MAX) 0.86 Features High breakdown voltage, BV 200V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Complementary to BTA120

 7.2. Size:273K  cystek
 btc2881l3.pdf pdf_icon

BTC2881J3

Spec. No. C316L3 Issued Date 2010.12.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.01.03 Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 200V BTC2881L3 IC 1A RCESAT(MAX) 0.86 Features High breakdown voltage, BV 200V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating an

 7.3. Size:225K  cystek
 btc2881e3.pdf pdf_icon

BTC2881J3

Spec. No. C316E3 Issued Date 2010.01.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.09.28 Page No. 1/5 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 200V BTC2881E3 IC 1A RCESAT(MAX) 0.86 Description High breakdown voltage, BV 200V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage RoHS compliant package Sy

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTC2412N3, BTC2655K3, BTC2655S3, BTC2880A3, BTC2880M3, BTC2880M3G, BTC2881E3, BTC2881FP, TIP127, BTC2881L3, BTC2881M3, BTC2882J3, BTC2883J3, BTC3097T3, BTC3149E3, BTC3356N3, BTC3415A3