Биполярный транзистор BTC5706J3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTC5706J3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для BTC5706J3
BTC5706J3 Datasheet (PDF)
btc5706j3.pdf
Spec. No. : C819J3 Issued Date : 2004.12.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/5 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5706J3 Features Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power dissipation Large current capability Applications DC-DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor
btc5706i3.pdf
Spec. No. : C819I3 Issued Date : 2004.12.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.11.18 Page No. : 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5706I3 Features Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power dissipation Large current capability RoHS compliant package Applications DC-DC converter
btc5706a3.pdf
Spec. No. : C819A3 Issued Date : 2006.06.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 5 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5706A3 Features Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power dissipation Large current capability Pb-free package Applications DC-DC converter, relay drivers,
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
