Биполярный транзистор BTD1616AM3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTD1616AM3
Маркировка: DG
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для BTD1616AM3
BTD1616AM3 Datasheet (PDF)
btd1616am3.pdf
Spec. No. : C602M3 Issued Date : 2009.04.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2014.03.28 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 60VBTD1616AM3IC 3AVCESAT(max) 150mV Features High breakdown voltage, BV 60V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating and h
btd1616aa3.pdf
Spec. No. : C602A3 Issued Date : 2009.05.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 60VBTD1616AA3IC 1ARCESAT(max) 300m Features High breakdown voltage, BV 60V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free and Halogen-free package
btd1664m3.pdf
Spec. No. : C223M3 Issued Date : 2003.05.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.08.07 Page No. : 1/8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 25VIC 1.5ABTD1664M3 RCESAT 0.31(typ.) Features The BTD1664M3 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=0.15V (typical), at IC / IB = 400mA / 20mA
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
