BTD1616AM3 - описание и поиск аналогов

 

BTD1616AM3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTD1616AM3

Маркировка: DG

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BTD1616AM3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD1616AM3 даташит

 ..1. Size:304K  cystek
 btd1616am3.pdf pdf_icon

BTD1616AM3

Spec. No. C602M3 Issued Date 2009.04.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.28 Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 60V BTD1616AM3 IC 3A VCESAT(max) 150mV Features High breakdown voltage, BV 60V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating and h

 6.1. Size:248K  cystek
 btd1616aa3.pdf pdf_icon

BTD1616AM3

Spec. No. C602A3 Issued Date 2009.05.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 60V BTD1616AA3 IC 1A RCESAT(max) 300m Features High breakdown voltage, BV 60V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free and Halogen-free package

 9.1. Size:239K  cystek
 btd1664m3.pdf pdf_icon

BTD1616AM3

Spec. No. C223M3 Issued Date 2003.05.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.07 Page No. 1/8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 25V IC 1.5A BTD1664M3 RCESAT 0.31 (typ.) Features The BTD1664M3 is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), VCE(sat)=0.15V (typical), at IC / IB = 400mA / 20mA

Другие транзисторы: BTD965A3, BTD965LA3, BTD965N3, BTD1304A3, BTD1304N3, BTD1383L3, BTD1383M3, BTD1616AA3, 2N3904, BTD1664M3, BTD1760J3, BTD1766M3, BTD1768A3, BTD1768BA3, BTD1768M3, BTD1768N3, BTD1768S3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.