BTD2061FP datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BTD2061FP 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO-220FP
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BTD2061FP
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BTD2061FP даташит
btd2061fp.pdf
Spec. No. C819FP Issued Date 2005.09.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.06.29 Page No. 1/5 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2061FP Features Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.25V at IC/IB=2A/0.2A. Excellent DC current gain characteristics. Wide SOA(safe operating area). Pb-free package. Symbol Outline BTD2061FP T
btd2098am3.pdf
Spec. No. C847M3 Issued Date 2003.04.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.12 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2098AM3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386AM3 Pb-free package Symbol Outline BTD2098AM3 SOT-89
btd2098ln3.pdf
Spec. No. C850N3 Issued Date 2004.01.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.02.21 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2098LN3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386LN3 Pb-free package Symbol Outline BTD2098LN3 SOT-23
btd2098m3.pdf
Spec. No. C623M3 Issued Date 2013.03.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.04.17 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2098M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386M3 Pb-free lead plating package Symbol Outline BTD209
Другие транзисторы: BTD1857AT3, BTD1858A3, BTD1858I3, BTD1858T3, BTD1864I3, BTD1980J3, BTD2040N3S, BTD2057A3, MJE340, BTD2098AM3, BTD2098LN3, BTD2098M3, BTD2114N3, BTD2118LJ3, BTD2118T3, BTD2150A3, BTD2150AD3
History: BL15N15A | PH2931-20M | TK40C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet






