2SA1193K datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SA1193K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1193K 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO92MOD

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SA1193K

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SA1193K даташит

..1. Size:35K hitachi
2sa1193k.pdf pdf_icon

2SA1193(K) Silicon PNP Epitaxial, Darlington Application High gain amplifier Outline TO-92MOD 2 3 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SA1193(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V Collector to emitter voltage VCEO 60 V Emitter to base voltage VEBO 7 V Collector current IC 0.5 A Collector peak

7.1. Size:34K hitachi
2sa1193.pdf pdf_icon