2SA1193K - описание и поиск аналогов

 

2SA1193K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1193K

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO92MOD

 Аналоги (замена) для 2SA1193K

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1193K даташит

 ..1. Size:35K  hitachi
2sa1193k.pdfpdf_icon

2SA1193K

2SA1193(K) Silicon PNP Epitaxial, Darlington Application High gain amplifier Outline TO-92MOD 2 3 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SA1193(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V Collector to emitter voltage VCEO 60 V Emitter to base voltage VEBO 7 V Collector current IC 0.5 A Collector peak

 7.1. Size:34K  hitachi
2sa1193.pdfpdf_icon

2SA1193K

2SA1193(K) Silicon PNP Epitaxial, Darlington Application High gain amplifier Outline TO-92MOD 2 3 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SA1193(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V Collector to emitter voltage VCEO 60 V Emitter to base voltage VEBO 7 V Collector current IC 0.5 A Collector peak

 8.1. Size:105K  1
2sa1198s 2sa1199s.pdfpdf_icon

2SA1193K

 8.2. Size:126K  toshiba
2sa1195.pdfpdf_icon

2SA1193K

Другие транзисторы... S8050MD , NJW0281G , NJW0302G , 2SC5614 , 2SC5800 , 2SD2195 , 2SD2398 , 2SD2004 , C3198 , 129NT1A-1 , 129NT1B-1 , 129NT1V-1 , 129NT1G-1 , 129NT1D-1 , 129NT1E-1 , 129NT1ZH-1 , K129NT1A-1 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.