Справочник транзисторов. 159NT1G

 

Биполярный транзистор 159NT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 159NT1G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
 

 Аналог (замена) для 159NT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

159NT1G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:78K  onsemi
 ntljs4159n ntljs4159nt1g.pdf pdf_icon

159NT1G

NTLJS4159NPower MOSFET30 V, 7.8 A, mCoolt Single N-Channel,2x2 mm WDFN PackageFeatures WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) in 2x2 mm Package35 mW @ 4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate30 V

 8.1. Size:444K  russia
 k129nt1 k159nt1 b1129nt1.pdf pdf_icon

159NT1G

2002 1291-1, 1591, 11291-1, 11291 RD ALFA

Другие транзисторы... K129NT1V-1 , K129NT1G-1 , K129NT1D-1 , K129NT1E-1 , K129NT1ZH-1 , 159NT1A , 159NT1B , 159NT1V , 2SC2240 , 159NT1D , 159NT1E , K159NT1A , K159NT1B , K159NT1V , K159NT1G , K159NT1D , K159NT1E .

 

 
Back to Top

 


 
.