159NT1G Todos los transistores

 

159NT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 159NT1G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

159NT1G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:78K  onsemi
 ntljs4159n ntljs4159nt1g.pdf pdf_icon

159NT1G

NTLJS4159NPower MOSFET30 V, 7.8 A, mCoolt Single N-Channel,2x2 mm WDFN PackageFeatures WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) in 2x2 mm Package35 mW @ 4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate30 V

 8.1. Size:444K  russia
 k129nt1 k159nt1 b1129nt1.pdf pdf_icon

159NT1G

2002 1291-1, 1591, 11291-1, 11291 RD ALFA

Otros transistores... K129NT1V-1 , K129NT1G-1 , K129NT1D-1 , K129NT1E-1 , K129NT1ZH-1 , 159NT1A , 159NT1B , 159NT1V , 2SC2240 , 159NT1D , 159NT1E , K159NT1A , K159NT1B , K159NT1V , K159NT1G , K159NT1D , K159NT1E .

 

 
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