B1129NT1V-1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: B1129NT1V-1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для B1129NT1V-1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

B1129NT1V-1 даташит

 6.1. Size:444K  russia
 k129nt1 k159nt1 b1129nt1.pdf pdf_icon

B1129NT1V-1

Другие транзисторы: 159NT1E, K159NT1A, K159NT1B, K159NT1V, K159NT1G, K159NT1D, K159NT1E, 1129NTV1, 431, CS13001, CS13002, CS13003, T5609, T5610, TPT5609, TPT5610, 2SC4977