Справочник транзисторов. B1129NT1V-1

 

Биполярный транзистор B1129NT1V-1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: B1129NT1V-1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
 

 Аналог (замена) для B1129NT1V-1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

B1129NT1V-1 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:444K  russia
k129nt1 k159nt1 b1129nt1.pdfpdf_icon

B1129NT1V-1

2002 1291-1, 1591, 11291-1, 11291 RD ALFA

Другие транзисторы... 159NT1E , K159NT1A , K159NT1B , K159NT1V , K159NT1G , K159NT1D , K159NT1E , 1129NTV1 , TIP32C , CS13001 , CS13002 , CS13003 , T5609 , T5610 , TPT5609 , TPT5610 , 2SC4977 .

 

 
Back to Top

 


 
.