Биполярный транзистор TT2190 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TT2190
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: TO220F
TT2190 Datasheet (PDF)
tt2190.pdf
TT2190(BR3DA2190F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features (V =1500V) MBIT CBOHigh Speed, high breakdown voltage(VCBO=1500V),high reliability(Adoption of HVP process.
tt2190ls.pdf
Ordering number : ENN7551TT2190LSNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorTT2190LSColor TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High speed.unit : mm High breakdown voltage (VCBO=1500V).2079D High reliability (Adoption of HVP process).[TT2190LS] Adoption of MBIT process.10.0 4.53.22.8 On-chip damper diode.0.9
tt2194.pdf
Ordering number : ENN0000TT2194NPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorTT2194Switching Regulator ApplicationsPreliminaryFeaturesPackage Dimensions High breakdown voltage and high reliability.unit : mm Fast switching speed.2010C Wide ASO.[TT2194] Adoption of MBIT process.10.24.53.65.11.31.20.80.41 : Base2 : Collector1 2 33 : Em
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
