TT2190 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TT2190  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TT2190

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TT2190 даташит

 ..1. Size:438K  blue-rocket-elect
 tt2190.pdf pdf_icon

TT2190

TT2190(BR3DA2190F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features (V =1500V) MBIT CBO High Speed, high breakdown voltage(VCBO=1500V),high reliability(Adoption of HVP process.

 0.1. Size:29K  sanyo
 tt2190ls.pdf pdf_icon

TT2190

Ordering number ENN7551 TT2190LS NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor TT2190LS Color TV Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage (VCBO=1500V). 2079D High reliability (Adoption of HVP process). [TT2190LS] Adoption of MBIT process. 10.0 4.5 3.2 2.8 On-chip damper diode. 0.9

 9.1. Size:44K  sanyo
 tt2194.pdf pdf_icon

TT2190

Ordering number ENN0000 TT2194 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor TT2194 Switching Regulator Applications Preliminary Features Package Dimensions High breakdown voltage and high reliability. unit mm Fast switching speed. 2010C Wide ASO. [TT2194] Adoption of MBIT process. 10.2 4.5 3.6 5.1 1.3 1.2 0.8 0.4 1 Base 2 Collector 1 2 3 3 Em

Другие транзисторы: S8050W, S8550A, S8550M, S8550W, TIP122L, TIP127L, TIP41P, TIP42P, 2N3906, DTC124ETA, DTC144ETA, RN1002, RN1201, RN1204, RN1205, RN1206, RN2002