Справочник транзисторов. TT2190

 

Биполярный транзистор TT2190 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TT2190
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO220F
 

 Аналог (замена) для TT2190

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TT2190 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:438K  blue-rocket-elect
 tt2190.pdf pdf_icon

TT2190

TT2190(BR3DA2190F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features (V =1500V) MBIT CBOHigh Speed, high breakdown voltage(VCBO=1500V),high reliability(Adoption of HVP process.

 0.1. Size:29K  sanyo
 tt2190ls.pdf pdf_icon

TT2190

Ordering number : ENN7551TT2190LSNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorTT2190LSColor TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High speed.unit : mm High breakdown voltage (VCBO=1500V).2079D High reliability (Adoption of HVP process).[TT2190LS] Adoption of MBIT process.10.0 4.53.22.8 On-chip damper diode.0.9

 9.1. Size:44K  sanyo
 tt2194.pdf pdf_icon

TT2190

Ordering number : ENN0000TT2194NPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorTT2194Switching Regulator ApplicationsPreliminaryFeaturesPackage Dimensions High breakdown voltage and high reliability.unit : mm Fast switching speed.2010C Wide ASO.[TT2194] Adoption of MBIT process.10.24.53.65.11.31.20.80.41 : Base2 : Collector1 2 33 : Em

Другие транзисторы... S8050W , S8550A , S8550M , S8550W , TIP122L , TIP127L , TIP41P , TIP42P , 13003 , DTC124ETA , DTC144ETA , RN1002 , RN1201 , RN1204 , RN1205 , RN1206 , RN2002 .

History: 2SB1110 | BD420 | S8550M

 

 
Back to Top

 


 
.