Биполярный транзистор TT2190 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TT2190
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: TO220F
TT2190 Datasheet (PDF)
tt2190.pdf
TT2190(BR3DA2190F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features (V =1500V) MBIT CBOHigh Speed, high breakdown voltage(VCBO=1500V),high reliability(Adoption of HVP process.
tt2190ls.pdf
Ordering number : ENN7551TT2190LSNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorTT2190LSColor TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High speed.unit : mm High breakdown voltage (VCBO=1500V).2079D High reliability (Adoption of HVP process).[TT2190LS] Adoption of MBIT process.10.0 4.53.22.8 On-chip damper diode.0.9
tt2194.pdf
Ordering number : ENN0000TT2194NPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorTT2194Switching Regulator ApplicationsPreliminaryFeaturesPackage Dimensions High breakdown voltage and high reliability.unit : mm Fast switching speed.2010C Wide ASO.[TT2194] Adoption of MBIT process.10.24.53.65.11.31.20.80.41 : Base2 : Collector1 2 33 : Em
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050