2N647 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2N647 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N647 📄📄

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 130 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO1

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2N647

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

..1. Size:511K rca
2n647.pdf pdf_icon

0.1. Size:84K central
2n6473 2n6474 2n6475 2n6476.pdf pdf_icon

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

0.2. Size:345K no
2n6477.pdf pdf_icon

Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com http //www.bocasemi.com