L2SA812SLT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: L2SA812SLT1G

Маркировка: M7

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для L2SA812SLT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SA812SLT1G даташит

 ..1. Size:191K  lrc
 l2sa812slt1g.pdf pdf_icon

L2SA812SLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors FEATURE L2SA812QLT1G Series High Voltage VCEO = -50 V. S-L2SA812QLT1G Series Epitaxial planar type. NPN complement L2SC1623 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualifi

 ..2. Size:193K  lrc
 l2sa812qlt1g l2sa812qlt3g l2sa812rlt1g l2sa812rlt3g l2sa812slt3g l2sa812slt1g.pdf pdf_icon

L2SA812SLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2SA812QLT1G Series General Purpose Transistors FEATURE S-L2SA812QLT1G Series High Voltage VCEO = -50 V. Epitaxial planar type. NPN complement L2SC1623 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qu

 ..3. Size:193K  lrc
 l2sa812qlt1g l2sa812rlt1g l2sa812slt3g l2sa812slt1g.pdf pdf_icon

L2SA812SLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2SA812QLT1G Series General Purpose Transistors FEATURE S-L2SA812QLT1G Series High Voltage VCEO = -50 V. Epitaxial planar type. NPN complement L2SC1623 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qu

 7.1. Size:187K  lrc
 l2sa812qlt1g.pdf pdf_icon

L2SA812SLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L2SA812QLT1G Series FEATURE S-L2SA812QLT1G Series High Voltage VCEO = -50 V. Epitaxial planar type. NPN complement L2SC1623 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualifie

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: L2SA1576AST1G, L2SA1774QT1G, L2SA1774RT1G, L2SA1774ST1G, L2SA2029QM3T5G, L2SA2029RM3T5G, L2SA812QLT1G, L2SA812RLT1G, 2SC1815, L2SB1197KQLT1G, L2SB1197KRLT1G, L2SB772P, L2SB772Q, L2SC1623QLT1G, L2SC1623RLT1G, L2SC1623SLT1G, L2SC1623SWT1G