Справочник транзисторов. L2SB1197KRLT1G

 

Биполярный транзистор L2SB1197KRLT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: L2SB1197KRLT1G
   Маркировка: AHR
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для L2SB1197KRLT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SB1197KRLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  lrc
 l2sb1197krlt1g.pdf pdf_icon

L2SB1197KRLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Low Frequency TransistorL2SB1197KQLT1G SeriesS-L2SB1197KQLT1G SeriesPNP SiliconFEATURE High current capacity in compact package.3IC = -0.8A. Epitaxial planar type. NPN complement: L2SD1781K1 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.2 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site

 5.1. Size:113K  lrc
 l2sb1197kqlt1g.pdf pdf_icon

L2SB1197KRLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Low Frequency TransistorL2SB1197KQLT1G SeriesS-L2SB1197KQLT1G SeriesPNP SiliconFEATURE High current capacity in compact package.3IC = -0.8A. Epitaxial planar type.1 NPN complement: L2SD1781K We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.2 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: L4152B | CHDTC124EEGP | MMBTA56L | TA1945 | CHT2907ZGP | MMBTA92L | TIP29CG

 

 
Back to Top

 


 
.