L2SB1197KRLT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: L2SB1197KRLT1G  📄📄 

Маркировка: AHR

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для L2SB1197KRLT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SB1197KRLT1G даташит

 ..1. Size:117K  lrc
 l2sb1197krlt1g.pdf pdf_icon

L2SB1197KRLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Low Frequency Transistor L2SB1197KQLT1G Series S-L2SB1197KQLT1G Series PNP Silicon FEATURE High current capacity in compact package. 3 IC = -0.8A. Epitaxial planar type. NPN complement L2SD1781K 1 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 2 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site

 5.1. Size:113K  lrc
 l2sb1197kqlt1g.pdf pdf_icon

L2SB1197KRLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Low Frequency Transistor L2SB1197KQLT1G Series S-L2SB1197KQLT1G Series PNP Silicon FEATURE High current capacity in compact package. 3 IC = -0.8A. Epitaxial planar type. 1 NPN complement L2SD1781K We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 2 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site

Другие транзисторы: L2SA1774RT1G, L2SA1774ST1G, L2SA2029QM3T5G, L2SA2029RM3T5G, L2SA812QLT1G, L2SA812RLT1G, L2SA812SLT1G, L2SB1197KQLT1G, A940, L2SB772P, L2SB772Q, L2SC1623QLT1G, L2SC1623RLT1G, L2SC1623SLT1G, L2SC1623SWT1G, L2SC2411KQLT1G, L2SC2411KRLT1G