Справочник транзисторов. L2SC3356LT1G

 

Биполярный транзистор L2SC3356LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: L2SC3356LT1G
   Маркировка: R24
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.55 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для L2SC3356LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SC3356LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  lrc
l2sc3356lt1g.pdfpdf_icon

L2SC3356LT1G

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SC3356LT1GDESCRIPTIONThe L2SC3356LT1 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356LT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic.3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capab

 ..2. Size:140K  lrc
l2sc3356lt1g l2sc3356lt3g.pdfpdf_icon

L2SC3356LT1G

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SC3356LT1GDESCRIPTIONThe L2SC3356LT1 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356LT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic.3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capab

 6.1. Size:167K  lrc
l2sc3356wt1g.pdfpdf_icon

L2SC3356LT1G

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.DESCRIPTION L2SC3356WT1GThe L2SC3356WT1is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356WT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic. 3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.

 6.2. Size:167K  lrc
l2sc3356wt1g l2sc3356wt3g.pdfpdf_icon

L2SC3356LT1G

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.DESCRIPTION L2SC3356WT1GThe L2SC3356WT1is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356WT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic. 3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.

Другие транзисторы... L2SC2411KQLT1G , L2SC2411KRLT1G , L2SC2412KQLT1G , L2SC2412KQMT1G , L2SC2412KRLT1G , L2SC2412KRMT1G , L2SC2412KSLT1G , L2SC2412KSMT1G , C3198 , L2SC3356WT1G , L2SC3837LT1G , L2SC3838LT1G , L2SC3838NLT1G , L2SC4081QT1G , L2SC4081RT1G , L2SC4081ST1G , L2SC4083NWT1G .

History: KTN2369A | LBC546BP | L9012QLT1G | 2SC291

 

 
Back to Top

 


 
.