Справочник транзисторов. L2SC3356LT1G

 

Биполярный транзистор L2SC3356LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: L2SC3356LT1G
   Маркировка: R24
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.55 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для L2SC3356LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SC3356LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  lrc
l2sc3356lt1g.pdfpdf_icon

L2SC3356LT1G

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SC3356LT1GDESCRIPTIONThe L2SC3356LT1 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356LT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic.3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capab

 ..2. Size:140K  lrc
l2sc3356lt1g l2sc3356lt3g.pdfpdf_icon

L2SC3356LT1G

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SC3356LT1GDESCRIPTIONThe L2SC3356LT1 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356LT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic.3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capab

 6.1. Size:167K  lrc
l2sc3356wt1g.pdfpdf_icon

L2SC3356LT1G

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.DESCRIPTION L2SC3356WT1GThe L2SC3356WT1is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356WT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic. 3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.

 6.2. Size:167K  lrc
l2sc3356wt1g l2sc3356wt3g.pdfpdf_icon

L2SC3356LT1G

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.DESCRIPTION L2SC3356WT1GThe L2SC3356WT1is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356WT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic. 3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: KTX111T | TIP142 | TI885 | T1670 | L9012QLT1G | MMBT9012

 

 
Back to Top

 


 
.