Биполярный транзистор L2SC3837LT1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: L2SC3837LT1G
Маркировка: AP
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для L2SC3837LT1G
L2SC3837LT1G Datasheet (PDF)
l2sc3837lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistor FeaturesL2SC3837LT1G1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz)S-L2SC3837LT1G2.Small rbb`Cc and high gain.(Typ.6ps)3.Small NF.4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.35.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-
s-l2sc3837t1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistor FeaturesL2SC3837T1G1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz)2.Small rbb`Cc and high gain.(Typ.6ps)S-L2SC3837T1G3.Small NF.4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101
l2sc3837qlt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistor FeaturesL2SC3837QLT1G1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz)S-L2SC3837QLT1G2.Small rbb`Cc and high gain.(Typ.6ps)3.Small NF.4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.35.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AE
l2sc3837t1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistor FeaturesL2SC3837T1G1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz)2.Small rbb`Cc and high gain.(Typ.6ps)S-L2SC3837T1G3.Small NF.4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101
Другие транзисторы... L2SC2412KQLT1G , L2SC2412KQMT1G , L2SC2412KRLT1G , L2SC2412KRMT1G , L2SC2412KSLT1G , L2SC2412KSMT1G , L2SC3356LT1G , L2SC3356WT1G , 13005 , L2SC3838LT1G , L2SC3838NLT1G , L2SC4081QT1G , L2SC4081RT1G , L2SC4081ST1G , L2SC4083NWT1G , L2SC4083PT1G , L2SC4083PWT1G .
History: TA1704 | MJE521 | T1806 | CS1312I | KSC5045 | CHDTC115TEGP | T1474
History: TA1704 | MJE521 | T1806 | CS1312I | KSC5045 | CHDTC115TEGP | T1474



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018