Справочник транзисторов. L2SC5658RM3T5G

 

Биполярный транзистор L2SC5658RM3T5G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: L2SC5658RM3T5G
   Маркировка: RM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT723
 

 Аналог (замена) для L2SC5658RM3T5G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SC5658RM3T5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  lrc
 l2sc5658rm3t5g.pdf pdf_icon

L2SC5658RM3T5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SC5658QM3T5GNPN Silicon GeneralL2SC5658RM3T5GPurpose Amplifier TransistorThis NPN transistor is designed for general purpose amplifier3applications. This device is housed in the SOT-723 package which isdesigned for low power surface mount applications, where boardspace is at a premium.2Features1 Reduces Board SpaceSOT 723 High h

 6.1. Size:330K  lrc
 l2sc5658qm3t5g.pdf pdf_icon

L2SC5658RM3T5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SC5658QM3T5GNPN Silicon GeneralL2SC5658RM3T5GPurpose Amplifier TransistorThis NPN transistor is designed for general purpose amplifier3applications. This device is housed in the SOT-723 package which isdesigned for low power surface mount applications, where boardspace is at a premium.2Features1 Reduces Board SpaceSOT 723 High h

 8.1. Size:44K  lrc
 l2sc5635lt1g.pdf pdf_icon

L2SC5658RM3T5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistor FeaturesL2SC5635LT1G1.High gain bandwidth product.(Typ.fT=8.0GHz)S-L2SC5635LT1G2.High gain,low noise3.Can operate at low voltage4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.4.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site3and Control Change Requirements;

 8.2. Size:2204K  lrc
 l2sc5635wt1g.pdf pdf_icon

L2SC5658RM3T5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistor FeaturesL2SC5635WT1G1.High gain bandwidth product.(Typ.fT=8.0GHz)2.High gain,low noise S-L2SC5635WT1G3.Can operate at low voltage4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.35.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: KUY12 | MMBTA55L | 2SC4269 | 2SC4199A | 2SC4102 | T1807 | TIP30D

 

 
Back to Top

 


 
.