L2SC5658RM3T5G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: L2SC5658RM3T5G  📄📄 

Маркировка: RM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT723

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для L2SC5658RM3T5G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SC5658RM3T5G даташит

 ..1. Size:158K  lrc
 l2sc5658rm3t5g.pdf pdf_icon

L2SC5658RM3T5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2SC5658QM3T5G NPN Silicon General L2SC5658RM3T5G Purpose Amplifier Transistor This NPN transistor is designed for general purpose amplifier 3 applications. This device is housed in the SOT-723 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium. 2 Features 1 Reduces Board Space SOT 723 High h

 6.1. Size:330K  lrc
 l2sc5658qm3t5g.pdf pdf_icon

L2SC5658RM3T5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2SC5658QM3T5G NPN Silicon General L2SC5658RM3T5G Purpose Amplifier Transistor This NPN transistor is designed for general purpose amplifier 3 applications. This device is housed in the SOT-723 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium. 2 Features 1 Reduces Board Space SOT 723 High h

 8.1. Size:44K  lrc
 l2sc5635lt1g.pdf pdf_icon

L2SC5658RM3T5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC5635LT1G 1.High gain bandwidth product.(Typ.fT=8.0GHz) S-L2SC5635LT1G 2.High gain,low noise 3.Can operate at low voltage 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 4.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 3 and Control Change Requirements;

 8.2. Size:2204K  lrc
 l2sc5635wt1g.pdf pdf_icon

L2SC5658RM3T5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC5635WT1G 1.High gain bandwidth product.(Typ.fT=8.0GHz) 2.High gain,low noise S-L2SC5635WT1G 3.Can operate at low voltage 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: L2SC4083PT1G, L2SC4083PWT1G, L2SC4083QWT1G, L2SC4617QT1G, L2SC4617RT1G, L2SC4617ST1G, L2SC5635WT1G, L2SC5658QM3T5G, TIP2955, L2SD1781KRLT1G, L2SD2114KVLT1G, L2SD2114KWLT1G, L2SD882P, L2SD882Q, L8050HPLT1G, L8050HQLT1G, L8050HRLT1G