LMBT6427LT1G - описание и поиск аналогов

 

LMBT6427LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LMBT6427LT1G

Маркировка: 1V

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LMBT6427LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT6427LT1G даташит

 ..1. Size:238K  lrc
 lmbt6427lt1g.pdf pdf_icon

LMBT6427LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Darlington Transistors NPN Silicon LMBT6427LT1G We declare that the material of product . compliance with RoHS requirements. S-LMBT6427LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring . Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 Ordering Information Device Marking Shipping 1 LMBT6427LT1G 300

 7.1. Size:280K  lrc
 lmbt6429lt1g.pdf pdf_icon

LMBT6427LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Amplifier Transistors NPN Silicon We declare that the material of product LMBT6428LT1G compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring LMBT6429LT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 S-LMBT6428LT1G Qualified and PPAP Capable. ORDERING INFORMATION S-LMBT6429LT1G Device Marking Shipping (S

 7.2. Size:352K  lrc
 lmbt6428lt1g lmbt6428lt3g.pdf pdf_icon

LMBT6427LT1G

LMBT6428LT1G S-LMBT6428LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. SOT23 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Ship

 7.3. Size:282K  lrc
 lmbt6428lt1g.pdf pdf_icon

LMBT6427LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Amplifier Transistors NPN Silicon We declare that the material of product LMBT6428LT1G compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring LMBT6429LT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT6428LT1G ORDERING INFORMATION S-LMBT6429LT1G Device Marking Shipping (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LMBT2506QLT1G, LMBT2516QLT1G, LMBT5087LT1G, LMBT5401DW1T1G, LMBT5401LT1G, LMBT5541DW1T1G, LMBT5551DW1T1G, LMBT5551LT1G, BD136, LMBT6428LT1G, LMBT6517LT1G, LMBT6520LT1G, LMBT918LT1G, LMBT2222ADW1T1G, LMBT2222ALT1G, LMBT2222ATT1G, LMBT2222AWT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.