Биполярный транзистор LMBT6427LT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: LMBT6427LT1G
Маркировка: 1V
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LMBT6427LT1G
LMBT6427LT1G Datasheet (PDF)
lmbt6427lt1g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Darlington TransistorsNPN SiliconLMBT6427LT1G We declare that the material of product. compliance with RoHS requirements.S-LMBT6427LT1GS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring . Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3Ordering InformationDevice Marking Shipping1LMBT6427LT1G300
lmbt6429lt1g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Amplifier TransistorsNPN Silicon We declare that the material of productLMBT6428LT1Gcompliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring LMBT6429LT1GUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 S-LMBT6428LT1GQualified and PPAP Capable.ORDERING INFORMATIONS-LMBT6429LT1GDevice Marking Shipping(S
lmbt6428lt1g lmbt6428lt3g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
LMBT6428LT1GS-LMBT6428LT1GAmplifier Transistors NPN Silicon1. FEATURESWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable.SOT232. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Marking Ship
lmbt6428lt1g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Amplifier TransistorsNPN Silicon We declare that the material of productLMBT6428LT1Gcompliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring LMBT6429LT1GUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LMBT6428LT1GORDERING INFORMATIONS-LMBT6429LT1GDevice Marking Shipping(
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .