Аналоги LMBT6428LT1G. Основные параметры
Наименование производителя: LMBT6428LT1G
Маркировка: 1KM
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LMBT6428LT1G
LMBT6428LT1G даташит
lmbt6428lt1g lmbt6428lt3g.pdf
LMBT6428LT1G S-LMBT6428LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. SOT23 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Ship
lmbt6428lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Amplifier Transistors NPN Silicon We declare that the material of product LMBT6428LT1G compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring LMBT6429LT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT6428LT1G ORDERING INFORMATION S-LMBT6429LT1G Device Marking Shipping (
lmbt6429lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Amplifier Transistors NPN Silicon We declare that the material of product LMBT6428LT1G compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring LMBT6429LT1G Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 S-LMBT6428LT1G Qualified and PPAP Capable. ORDERING INFORMATION S-LMBT6429LT1G Device Marking Shipping (S
lmbt6427lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Darlington Transistors NPN Silicon LMBT6427LT1G We declare that the material of product . compliance with RoHS requirements. S-LMBT6427LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring . Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 Ordering Information Device Marking Shipping 1 LMBT6427LT1G 300
Другие транзисторы... LMBT2516QLT1G , LMBT5087LT1G , LMBT5401DW1T1G , LMBT5401LT1G , LMBT5541DW1T1G , LMBT5551DW1T1G , LMBT5551LT1G , LMBT6427LT1G , TIP120 , LMBT6517LT1G , LMBT6520LT1G , LMBT918LT1G , LMBT2222ADW1T1G , LMBT2222ALT1G , LMBT2222ATT1G , LMBT2222AWT1G , LMBT2907ADW1T1G .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061