LMBT6517LT1G - описание и поиск аналогов

 

LMBT6517LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LMBT6517LT1G

Маркировка: 1Z

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LMBT6517LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT6517LT1G даташит

 ..1. Size:248K  lrc
lmbt6517lt1g lmbt6517lt3g.pdfpdf_icon

LMBT6517LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistors NPN Silicon LMBT6517LT1G We declare that the material of product S-LMBT6517LT1G compliance with RoHS requirements. Ordering Information 3 Device Marking Shipping LMBT6 517LT1G 3000/Tape&Reel 1Z S-LMBT6 517LT1G 1 LMBT6517LT3G 10000/Tape&Reel 1Z 2 S-LMBT6517LT3G SOT 23 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 3 COLLECTO

 ..2. Size:248K  lrc
lmbt6517lt1g.pdfpdf_icon

LMBT6517LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistors NPN Silicon LMBT6517LT1G We declare that the material of product S-LMBT6517LT1G compliance with RoHS requirements. Ordering Information 3 Device Marking Shipping LMBT6 517LT1G 3000/Tape&Reel 1Z S-LMBT6 517LT1G 1 LMBT6517LT3G 10000/Tape&Reel 1Z 2 S-LMBT6517LT3G SOT 23 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 3 COLLECTO

 8.1. Size:248K  lrc
lmbt6520lt1g lmbt6520lt3g.pdfpdf_icon

LMBT6517LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistor PNP Silicon LMBT6520LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT6520LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 Ordering Information 1 Device Marking Shipping 2 LMBT6520LT1G 3000/Tape&

 8.2. Size:248K  lrc
lmbt6520lt1g.pdfpdf_icon

LMBT6517LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistor PNP Silicon LMBT6520LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT6520LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 Ordering Information 1 Device Marking Shipping 2 LMBT6520LT1G 3000/Tape&

Другие транзисторы: LMBT5087LT1G, LMBT5401DW1T1G, LMBT5401LT1G, LMBT5541DW1T1G, LMBT5551DW1T1G, LMBT5551LT1G, LMBT6427LT1G, LMBT6428LT1G, B647, LMBT6520LT1G, LMBT918LT1G, LMBT2222ADW1T1G, LMBT2222ALT1G, LMBT2222ATT1G, LMBT2222AWT1G, LMBT2907ADW1T1G, LMBT2907ALT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.