Справочник транзисторов. LMBT3904LT1G

 

Биполярный транзистор LMBT3904LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LMBT3904LT1G
   Маркировка: 1AM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для LMBT3904LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT3904LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:590K  lrc
lmbt3904lt1g.pdfpdf_icon

LMBT3904LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconFEATURESLMBT3904LT1G1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free.S-LMBT3904LT1G2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013 Qualified and PPAP Capable. DEVICE MARKING AND RESISTOR VALU

 ..2. Size:643K  lrc
lmbt3904lt1g lmbt3904lt3g s-lmbt3904lt1g s-lmbt3904lt3g.pdfpdf_icon

LMBT3904LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose Transistor Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes aLMBT3904LT1GPb-Free Lead FinishS-LMBT3904LT1G We declare that the material of product compliance with RoHSrequirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and3PPAP Capable

 ..3. Size:358K  lrc
lmbt3904lt1g lmbt3904lt3g.pdfpdf_icon

LMBT3904LT1G

LMBT3904LT1GS-LMBT3904LT1GGeneral Purpose Transistors NPN Silicon1. FEATURES We declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable.2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevic

 ..4. Size:243K  inchange semiconductor
lmbt3904lt1g.pdfpdf_icon

LMBT3904LT1G

isc Silicon NPN RF Transistor LMBT3904LT1GDESCRIPTIONLow Noise FigureNF = 5 dB(MAX)@V =5.0V, f=10Hz to 15.7kHz, I =100uA, R =1.0kCE C SMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in low noise ,high-gain amplifiersand linear broadband amplifiers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы... LMBT2222ADW1T1G , LMBT2222ALT1G , LMBT2222ATT1G , LMBT2222AWT1G , LMBT2907ADW1T1G , LMBT2907ALT1G , LMBT2907AWT1G , LMBT3904DW1T1G , C1815 , LMBT3904N3T5G , LMBT3904TT1G , LMBT3904WT1G , LMBT3906DW1T1G , LMBT3906LT1G , LMBT3906TT1G , LMBT3906WT1G , LMBT3908LT1G .

History: CPBT720 | SE9300 | SU310 | TI421 | 2SD484 | KT3126B | DRA3144V

 

 
Back to Top

 


 
.