LMBT3904LT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LMBT3904LT1G
Маркировка: 1AM
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LMBT3904LT1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LMBT3904LT1G даташит
lmbt3904lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon FEATURES LMBT3904LT1G 1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free. S-LMBT3904LT1G 2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable. DEVICE MARKING AND RESISTOR VALU
lmbt3904lt1g lmbt3904lt3g s-lmbt3904lt1g s-lmbt3904lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistor Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes a LMBT3904LT1G Pb-Free Lead Finish S-LMBT3904LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 3 PPAP Capable
lmbt3904lt1g lmbt3904lt3g.pdf
LMBT3904LT1G S-LMBT3904LT1G General Purpose Transistors NPN Silicon 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Devic
lmbt3904lt1g.pdf
isc Silicon NPN RF Transistor LMBT3904LT1G DESCRIPTION Low Noise Figure NF = 5 dB(MAX) @V =5.0V, f=10Hz to 15.7kHz, I =100uA, R =1.0k CE C S Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in low noise ,high-gain amplifiers and linear broadband amplifiers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER
Другие транзисторы: LMBT2222ADW1T1G, LMBT2222ALT1G, LMBT2222ATT1G, LMBT2222AWT1G, LMBT2907ADW1T1G, LMBT2907ALT1G, LMBT2907AWT1G, LMBT3904DW1T1G, 2N2222, LMBT3904N3T5G, LMBT3904TT1G, LMBT3904WT1G, LMBT3906DW1T1G, LMBT3906LT1G, LMBT3906TT1G, LMBT3906WT1G, LMBT3908LT1G
History: KRC886T | BF262 | SZD1386 | 2SC2475 | 2N5712 | 2N1657 | LMBT3904DW1T1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet










