DTD118 - описание и поиск аналогов

 

DTD118. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTD118

Маркировка: F62

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для DTD118

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD118 даташит

 ..1. Size:70K  first silicon
dtd118.pdfpdf_icon

DTD118

SEMICONDUCTOR DTD118 TECHNICAL DATA Digital transistors (built-in resistors) Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter OUT circuit without connecting external input resistors (see the equivalent circuit). GND 2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have IN the

 9.1. Size:49K  motorola
pdtd114et 4.pdfpdf_icon

DTD118

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D088 PDTD114ET NPN resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTD114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handboo

 9.2. Size:49K  philips
pdtd114et 4.pdfpdf_icon

DTD118

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D088 PDTD114ET NPN resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTD114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handboo

 9.3. Size:64K  philips
pdtd113zt.pdfpdf_icon

DTD118

PDTD113ZT NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 k , R2 = 10 k Rev. 02 23 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN 500 mA Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PDTB113ZT. 1.2 Features Built-in bias resistors Reduces component count Simplifies circuit des

Другие транзисторы: DTC709, DTC710, DTC711, DTC714, DTC717, DTC722, DTD101, DTD102, TIP42C, DTD123, DTD124, DWA402, DWA403, DWA404, DWA407, DWA411, DWA410

 

 

 

 

↑ Back to Top
.