Справочник транзисторов. DTD118

 

Биполярный транзистор DTD118 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTD118
   Маркировка: F62
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для DTD118

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTD118 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  first silicon
dtd118.pdfpdf_icon

DTD118

SEMICONDUCTORDTD118TECHNICAL DATADigital transistors (built-in resistors) Features1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverterOUTcircuit without connecting external input resistors (see theequivalent circuit).GND2) The bias resistors consist of thin-film resistors with completeisolation to allow negative biasing of the input. They also have INthe

 9.1. Size:49K  motorola
pdtd114et 4.pdfpdf_icon

DTD118

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D088PDTD114ETNPN resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationNPN resistor-equipped transistor PDTD114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handboo

 9.2. Size:49K  philips
pdtd114et 4.pdfpdf_icon

DTD118

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D088PDTD114ETNPN resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationNPN resistor-equipped transistor PDTD114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handboo

 9.3. Size:64K  philips
pdtd113zt.pdfpdf_icon

DTD118

PDTD113ZTNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor;R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 02 23 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN 500 mA Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.PNP complement: PDTB113ZT.1.2 Features Built-in bias resistors Reduces component count Simplifies circuit des

Другие транзисторы... DTC709 , DTC710 , DTC711 , DTC714 , DTC717 , DTC722 , DTD101 , DTD102 , TIP42C , DTD123 , DTD124 , DWA402 , DWA403 , DWA404 , DWA407 , DWA411 , DWA410 .

History: KSA709Y | TIP33B | 2N5989 | TMPC1622D8 | BLY58

 

 
Back to Top

 


 
.