Справочник транзисторов. DTD118

 

Биполярный транзистор DTD118 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTD118
   Маркировка: F62
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

DTD118 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  first silicon
dtd118.pdfpdf_icon

DTD118

SEMICONDUCTORDTD118TECHNICAL DATADigital transistors (built-in resistors) Features1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverterOUTcircuit without connecting external input resistors (see theequivalent circuit).GND2) The bias resistors consist of thin-film resistors with completeisolation to allow negative biasing of the input. They also have INthe

 9.1. Size:49K  motorola
pdtd114et 4.pdfpdf_icon

DTD118

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D088PDTD114ETNPN resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationNPN resistor-equipped transistor PDTD114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handboo

 9.2. Size:49K  philips
pdtd114et 4.pdfpdf_icon

DTD118

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D088PDTD114ETNPN resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationNPN resistor-equipped transistor PDTD114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handboo

 9.3. Size:64K  philips
pdtd113zt.pdfpdf_icon

DTD118

PDTD113ZTNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor;R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 02 23 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN 500 mA Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.PNP complement: PDTB113ZT.1.2 Features Built-in bias resistors Reduces component count Simplifies circuit des

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: RT5P14BC | BSV17-10

 

 
Back to Top

 


 
.