FTA1659A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTA1659A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FTA1659A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTA1659A даташит

 ..1. Size:160K  first silicon
fta1659a.pdfpdf_icon

FTA1659A

SEMICONDUCTOR FTA1659A TECHNICAL DATA C A E DIM MILLIMETERS _ A 10.16 0.20 + FTA1659A TRANSISTOR (PNP) _ B 15.00 0.20 + _ C 3.00 0.20 + D 0.625 0.125 E 3.50 typ F 2.7 typ FEATURES _ G 16.80 0.4 + L M _ + R H 0.45 0.1 High Transition Frequency _ J 13.20 + 0.20 _ K 3.80 0.2 + High Voltage Applications D L 1.52 MAX M 1.52 MAX N N Complementary to FTC4

 9.1. Size:102K  first silicon
fta1662.pdfpdf_icon

FTA1659A

SEMICONDUCTOR FTA1662 TECHNICAL DATA FEATURES A Complementary to FTC4374 C H G MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) D D Symbol Parameter Value Units K VCBO Collector-Base Voltage -80 V F F DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX VCEO Collector-Emitter Voltage -80 V _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX VEBO Emitter-Base Voltage -5 V 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 E 4.25 MAX IC Colle

 9.2. Size:1051K  first silicon
fta1666.pdfpdf_icon

FTA1659A

SEMICONDUCTOR FTA1666 TECHNICAL DATA A C H G FTA1666 TRANSISTOR (PNP) D D K FEATURES F F DIM MILLIMETERS Complementary to FTC4379 A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX Small Flat Package 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 E 4.25 MAX Low Saturation Voltage _ + F 1.50 0.10 G 0.40 TYP 1. BASE Power Amplifier and Switching Application H 1.7 MAX 2. COLLECTOR J 0.7 MIN

 9.3. Size:100K  first silicon
fta1661.pdfpdf_icon

FTA1659A

SEMICONDUCTOR FTA1661 TECHNICAL DATA A C H PNP Transistor G FEATURES D D K Small Flat Package F F DIM MILLIMETERS High Current Application A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 High Voltage C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 High Transition Frequency E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 G 0.40 TYP 1. BASE H 1.7 MAX 2. COLLECTOR J 0.7 MIN 3. EMITTER K 0.5+0.15/-0.10 SOT-8

Другие транзисторы: FTA1268, FTA1270, FTA1271, FTA1274, FTA1275, FTA1298, FTA1505, FTA1576, BD786, FTA1661, FTA1662, FTA1663, FTA1664, FTA1666, FTA1774, FTA1943, FTA708