Справочник транзисторов. FTB1260

 

Биполярный транзистор FTB1260 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FTB1260
   Маркировка: ZL
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для FTB1260

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTB1260 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  first silicon
 ftb1260.pdf pdf_icon

FTB1260

SEMICONDUCTORFTB1260TECHNICAL DATAACHFTB1260 TRANSISTOR (PNP) GFEATURES DD Power Transistor KF F High Voltage and Current DIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_+ Low Collector-emitter saturation voltage B 2.50 0.20C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.10 Complements the FTD1898 E 4.25 MAX_+F 1.50 0.10G 0.40 TYP1. BASEH 1.7 MAX2. COLLECTORJ 0.7 MIN3.

 8.1. Size:406K  first silicon
 ftb1261.pdf pdf_icon

FTB1260

SEMICONDUCTORFTB1261TECHNICAL DATAFTB1261 TRANSISTOR (PNP) AICJFEATURES Low VCE(sat) High DC Current Gain DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) H 1 00 MAXI 2 30 0 2F F LJ 0 5 0 1Symbol Parameter Value Unit L 0 50 0 101 2 3O 1 6

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: RT1P250M | BD745E | UN4222

 

 
Back to Top

 


 
.