FTC3199 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTC3199  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92M

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FTC3199

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTC3199 даташит

 ..1. Size:250K  first silicon
 ftc3199.pdf pdf_icon

FTC3199

SEMICONDUCTOR FTC3199 TECHNICAL DATA B FTC3199 TRANSISTOR (NPN) K FEATURES High DC Current Gain DIM MILLIMETERS A 3.25 MAX Complementary to FTA1267 B 4.20 MAX C C 0.48 MAX _ D 1.52 0.1 + E 1.27 E E _ F 15.30 0.20 + G 0.76 H 45 3 1 2 J 0.51 MAX J K 0.25 H 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE TO-92M MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Paramete

 8.1. Size:184K  first silicon
 ftc3198.pdf pdf_icon

FTC3199

SEMICONDUCTOR FTC3198 TECHNICAL DATA TRANSISTOR (NPN) B C FEATURES General Purpose Switching Application Complementary to FTA1266. DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.55 MAX MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) E 1.00 F 1.27 G 0.85 Symbo Parameter Value Unit H 0.45 _ H VCBO Collector-Base Voltage 60 V J 14.00 + 0.50 L 2.30 F

Другие транзисторы: FTC2412K, FTC2655, FTC2688, FTC2690, FTC2690A, FTC2878, FTC2983, FTC3198, 13009, FTC3200, FTC3202, FTC3203, FTC3227, FTC3265, FTC3303, FTC3356, FTC3356U