FTD1499 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTD1499  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FTD1499

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD1499 даташит

 ..1. Size:183K  first silicon
 ftd1499.pdf pdf_icon

FTD1499

SEMICONDUCTOR FTD1499 TECHNICAL DATA C A FTD1499 TRANSISTOR (NPN) E DIM MILLIMETERS _ A 10 16 0 20 + _ B 15 00 0 20 + FEATURES _ C 3 00 0 20 + Extremely Satisfactory Linearity of the Forward Current D 0 625 0 125 E 3 50 typ Transfer Ratio hFE F 2 7 typ _ G 16 80 0 4 + Wide Safe Operation Area L M _ H 0 45 0 1 R + _ J 13 20 + 0 20 High Transition Frequency fT

Другие транзисторы: FTC4379, FTC4617, FTC8050, FTC8050H, FTC9012S, FTC9013S, FTC945B, FTD1304, BD777, FTD1616A, FTD1624, FTD1760, FTD1781K, FTD1898, FTD1899, FTD2058, FTD2058F