FTD1616A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTD1616A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FTD1616A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD1616A даташит

 ..1. Size:256K  first silicon
 ftd1616a.pdf pdf_icon

FTD1616A

SEMICONDUCTOR FTD1616A TECHNICAL DATA Ge P po e T is o NPN Silicon B C FEATURE Complementary PNP Type available (FTB1116A) DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 0.55 MAX E 1.00 F 1.27 Symbol Parameter Value Units G 0.85 H 0.45 _ VCBO Collector-Base Voltage 120 V H J 14.00 + 0.50 L 2.30 F F M 0.51

 9.1. Size:1562K  first silicon
 ftd1624.pdf pdf_icon

FTD1616A

SEMICONDUCTOR FTD1624 TECHNICAL DATA VOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENT A C H G FEATURES Adoption of MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed. D D K Large current capacity and wide ASO. F F DIM MILLIMETERS Complementary to FTB1124. A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX MAXIMUM RATING (Ta=25 ) 1

Другие транзисторы: FTC4617, FTC8050, FTC8050H, FTC9012S, FTC9013S, FTC945B, FTD1304, FTD1499, S8550, FTD1624, FTD1760, FTD1781K, FTD1898, FTD1899, FTD2058, FTD2058F, FTD2097