Биполярный транзистор FTD1760 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FTD1760
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
Корпус транзистора: TO252 DPAK
FTD1760 Datasheet (PDF)
ftd1760.pdf
SEMICONDUCTORFTD1760TECHNICAL DATA FTD1760 TRANSISTOR (NPN) A ICJFEATURES Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) Complements the FTB1184. DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)E 2 70 0 2F 2 30 0 1Symbol Parameter Value Unit HH 1 00 MAXI 2 30 0
ftd1781k.pdf
SEMICONDUCTORFTD1781KTECHNICAL DATAMedium Power Transistor(32V, 0.8A)Features31) Very low VCE(sat).VCE(sat) 0.4 V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 50mA)12) High current capacity in compactpackage. SOT 23 3) Complements the FTB1197K4)We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.StructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistor C
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050