FTD1760 - описание и поиск аналогов

 

FTD1760. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTD1760

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: TO252 DPAK

 Аналоги (замена) для FTD1760

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD1760 даташит

 ..1. Size:307K  first silicon
 ftd1760.pdf pdf_icon

FTD1760

SEMICONDUCTOR FTD1760 TECHNICAL DATA FTD1760 TRANSISTOR (NPN) A I C J FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) Complements the FTB1184. DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 C 5 20 0 2 D 1 50 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 Symbol Parameter Value Unit H H 1 00 MAX I 2 30 0

 9.1. Size:842K  first silicon
 ftd1781k.pdf pdf_icon

FTD1760

SEMICONDUCTOR FTD1781K TECHNICAL DATA Medium Power Transistor (32V, 0.8A) Features 3 1) Very low VCE(sat). VCE(sat) 0.4 V (Typ.) 2 (IC / IB = 500mA / 50mA) 1 2) High current capacity in compact package. SOT 23 3) Complements the FTB1197K 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor C

Другие транзисторы: FTC8050H, FTC9012S, FTC9013S, FTC945B, FTD1304, FTD1499, FTD1616A, FTD1624, TIP42, FTD1781K, FTD1898, FTD1899, FTD2058, FTD2058F, FTD2097, FTD2098, FTD2114K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.