Справочник транзисторов. FTD1760

 

Биполярный транзистор FTD1760 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FTD1760
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для FTD1760

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD1760 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  first silicon
 ftd1760.pdf pdf_icon

FTD1760

SEMICONDUCTORFTD1760TECHNICAL DATA FTD1760 TRANSISTOR (NPN) A ICJFEATURES Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) Complements the FTB1184. DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)E 2 70 0 2F 2 30 0 1Symbol Parameter Value Unit HH 1 00 MAXI 2 30 0

 9.1. Size:842K  first silicon
 ftd1781k.pdf pdf_icon

FTD1760

SEMICONDUCTORFTD1781KTECHNICAL DATAMedium Power Transistor(32V, 0.8A)Features31) Very low VCE(sat).VCE(sat) 0.4 V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 50mA)12) High current capacity in compactpackage. SOT 23 3) Complements the FTB1197K4)We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.StructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistor C

Другие транзисторы... FTC8050H , FTC9012S , FTC9013S , FTC945B , FTD1304 , FTD1499 , FTD1616A , FTD1624 , TIP127 , FTD1781K , FTD1898 , FTD1899 , FTD2058 , FTD2058F , FTD2097 , FTD2098 , FTD2114K .

History: 2SC1355F | BD241F | 2SC1098L | DTC714 | 2SC2258AY | DC5623 | NSVBC850CLT1G

 

 
Back to Top

 


 
.