FTD1760 Todos los transistores

 

FTD1760 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTD1760
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FTD1760 datasheet

 ..1. Size:307K  first silicon
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FTD1760

SEMICONDUCTOR FTD1760 TECHNICAL DATA FTD1760 TRANSISTOR (NPN) A I C J FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) Complements the FTB1184. DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 C 5 20 0 2 D 1 50 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 Symbol Parameter Value Unit H H 1 00 MAX I 2 30 0

 9.1. Size:842K  first silicon
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FTD1760

SEMICONDUCTOR FTD1781K TECHNICAL DATA Medium Power Transistor (32V, 0.8A) Features 3 1) Very low VCE(sat). VCE(sat) 0.4 V (Typ.) 2 (IC / IB = 500mA / 50mA) 1 2) High current capacity in compact package. SOT 23 3) Complements the FTB1197K 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor C

Otros transistores... FTC8050H , FTC9012S , FTC9013S , FTC945B , FTD1304 , FTD1499 , FTD1616A , FTD1624 , TIP42 , FTD1781K , FTD1898 , FTD1899 , FTD2058 , FTD2058F , FTD2097 , FTD2098 , FTD2114K .

History: FTD2058F

 

 

 


 
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