FTD1760 Todos los transistores

 

FTD1760 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTD1760
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FTD1760 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  first silicon
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FTD1760

SEMICONDUCTORFTD1760TECHNICAL DATA FTD1760 TRANSISTOR (NPN) A ICJFEATURES Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) Complements the FTB1184. DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)E 2 70 0 2F 2 30 0 1Symbol Parameter Value Unit HH 1 00 MAXI 2 30 0

 9.1. Size:842K  first silicon
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FTD1760

SEMICONDUCTORFTD1781KTECHNICAL DATAMedium Power Transistor(32V, 0.8A)Features31) Very low VCE(sat).VCE(sat) 0.4 V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 50mA)12) High current capacity in compactpackage. SOT 23 3) Complements the FTB1197K4)We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.StructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistor C

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History: BCR183W | SS9011 | MPSU51

 

 
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