FTD1760 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTD1760  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 90 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 82

Encapsulados: TO252 DPAK

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FTD1760 datasheet

 ..1. Size:307K  first silicon
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FTD1760

SEMICONDUCTOR FTD1760 TECHNICAL DATA FTD1760 TRANSISTOR (NPN) A I C J FEATURES Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) Complements the FTB1184. DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 C 5 20 0 2 D 1 50 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 Symbol Parameter Value Unit H H 1 00 MAX I 2 30 0

 9.1. Size:842K  first silicon
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FTD1760

SEMICONDUCTOR FTD1781K TECHNICAL DATA Medium Power Transistor (32V, 0.8A) Features 3 1) Very low VCE(sat). VCE(sat) 0.4 V (Typ.) 2 (IC / IB = 500mA / 50mA) 1 2) High current capacity in compact package. SOT 23 3) Complements the FTB1197K 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor C

Otros transistores... FTC8050H, FTC9012S, FTC9013S, FTC945B, FTD1304, FTD1499, FTD1616A, FTD1624, BD135, FTD1781K, FTD1898, FTD1899, FTD2058, FTD2058F, FTD2097, FTD2098, FTD2114K