Справочник транзисторов. FTD2114K

 

Биполярный транзистор FTD2114K Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FTD2114K
   Маркировка: BV_BW
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для FTD2114K

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD2114K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1582K  first silicon
 ftd2114k.pdf pdf_icon

FTD2114K

SEMICONDUCTORFTD2114KTECHNICAL DATAEpitaxial planar typeNPN silicon transistorFeatures1) High DC current gain.3hFE = 1200 (Typ.)2) High emitter-base voltage.2VEBO =12V (Min.)13) Low VCE (sat).VCE (sat) = 0.18V (Typ.) SOT 23(IC / IB = 500mA / 20mA)4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.COLLECTORAbsolute maximum rating

 8.1. Size:325K  first silicon
 ftd2118.pdf pdf_icon

FTD2114K

SEMICONDUCTORFTD2118TECHNICAL DATAFTD2118 TRANSISTOR (NPN) FEATURES AICJ Low VCE(sat). Excellent DC Current Gain Characteristics. DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2MAXIMUM RATINGS (Ta=25)C 5 20 0 2D 1 50 0 2Symbol Parameter Value Unit E 2 70 0 2F 2 30 0 1HVCBO Collector-Base Voltage 50 V H 1 00 MAXI 2 30 0 2LF FVCEO Col

Другие транзисторы... FTD1760 , FTD1781K , FTD1898 , FTD1899 , FTD2058 , FTD2058F , FTD2097 , FTD2098 , S9013 , FTD2118 , FTD4240 , FTD880 , FTD882 , FTD882D , FTD882F , MJD122I , MJE13002B .

History: 2SC1437 | 2SB1045 | BCX5116 | PBSS4350D | INC6001AC1 | DDTB122JC | INC6006AP1

 

 
Back to Top

 


 
.