FTD2114K Todos los transistores

 

FTD2114K Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTD2114K
   Código: BV_BW
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 350 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 800
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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FTD2114K datasheet

 ..1. Size:1582K  first silicon
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FTD2114K

SEMICONDUCTOR FTD2114K TECHNICAL DATA Epitaxial planar type NPN silicon transistor Features 1) High DC current gain. 3 hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. 2 VEBO =12V (Min.) 1 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) SOT 23 (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. COLLECTOR Absolute maximum rating

 8.1. Size:325K  first silicon
 ftd2118.pdf pdf_icon

FTD2114K

SEMICONDUCTOR FTD2118 TECHNICAL DATA FTD2118 TRANSISTOR (NPN) FEATURES A I C J Low VCE(sat). Excellent DC Current Gain Characteristics. DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) C 5 20 0 2 D 1 50 0 2 Symbol Parameter Value Unit E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 H VCBO Collector-Base Voltage 50 V H 1 00 MAX I 2 30 0 2 L F F VCEO Col

Otros transistores... FTD1760 , FTD1781K , FTD1898 , FTD1899 , FTD2058 , FTD2058F , FTD2097 , FTD2098 , 13005 , FTD2118 , FTD4240 , FTD880 , FTD882 , FTD882D , FTD882F , MJD122I , MJE13002B .

 

 

 


 
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