FTD2114K Todos los transistores

 

FTD2114K . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTD2114K
   Código: BV_BW
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 350 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 800
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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FTD2114K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1582K  first silicon
 ftd2114k.pdf pdf_icon

FTD2114K

SEMICONDUCTORFTD2114KTECHNICAL DATAEpitaxial planar typeNPN silicon transistorFeatures1) High DC current gain.3hFE = 1200 (Typ.)2) High emitter-base voltage.2VEBO =12V (Min.)13) Low VCE (sat).VCE (sat) = 0.18V (Typ.) SOT 23(IC / IB = 500mA / 20mA)4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.COLLECTORAbsolute maximum rating

 8.1. Size:325K  first silicon
 ftd2118.pdf pdf_icon

FTD2114K

SEMICONDUCTORFTD2118TECHNICAL DATAFTD2118 TRANSISTOR (NPN) FEATURES AICJ Low VCE(sat). Excellent DC Current Gain Characteristics. DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2MAXIMUM RATINGS (Ta=25)C 5 20 0 2D 1 50 0 2Symbol Parameter Value Unit E 2 70 0 2F 2 30 0 1HVCBO Collector-Base Voltage 50 V H 1 00 MAXI 2 30 0 2LF FVCEO Col

Otros transistores... FTD1760 , FTD1781K , FTD1898 , FTD1899 , FTD2058 , FTD2058F , FTD2097 , FTD2098 , S9013 , FTD2118 , FTD4240 , FTD880 , FTD882 , FTD882D , FTD882F , MJD122I , MJE13002B .

History: 40315S

 

 
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