13007S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 13007S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 13007S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

13007S даташит

 ..1. Size:121K  jdsemi
13007s.pdfpdf_icon

13007S

R 13007S www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Computer Switch Power Supply and All kinds of power switch circuit 2 2 2 FEATUR

 0.1. Size:377K  winsemi
sbp13007s.pdfpdf_icon

13007S

SBP13007-S SBP13007-S SBP13007-S SBP13007-S High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features Features Features Features Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA General Description G

 9.1. Size:376K  1
3dd13007k.pdfpdf_icon

13007S

Другие транзисторы: 13005D, 13005DL, 13005ED, 13005F, 13005S, 13005SD, 13005SDL, 13007DL, 2N4401, 13007T, 13009A, 13009SDL, 13009T, 3866S, 3866SF, B647, B772P