13007S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 13007S  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W

Tensión colector-base (Vcb): 500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO220

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13007S datasheet

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13007S

R 13007S www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Computer Switch Power Supply and All kinds of power switch circuit 2 2 2 FEATUR

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13007S

SBP13007-S SBP13007-S SBP13007-S SBP13007-S High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features Features Features Features Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA General Description G

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