DK55ED datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DK55ED  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 29 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DK55ED

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK55ED даташит

 ..1. Size:116K  jdsemi
 dk55ed.pdf pdf_icon

DK55ED

R DK55ED www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2 F

Другие транзисторы: DK53AD, DK53ADL, DK53D, DK53DL, DK53H, DK53TD, DK54DL, DK55A, 2SC2073, DK55SD, E13005SDL, H13003, H13003AD, H13003ADL, H13003AH, H13003D, H13003DL