Справочник транзисторов. DK55ED

 

Биполярный транзистор DK55ED Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DK55ED
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 29 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO251
 

 Аналог (замена) для DK55ED

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK55ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  jdsemi
 dk55ed.pdf pdf_icon

DK55ED

RDK55ED www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222F

Другие транзисторы... DK53AD , DK53ADL , DK53D , DK53DL , DK53H , DK53TD , DK54DL , DK55A , TIP3055 , DK55SD , E13005SDL , H13003 , H13003AD , H13003ADL , H13003AH , H13003D , H13003DL .

 

 
Back to Top

 


 
.