DK55ED - описание и поиск аналогов

 

Аналоги DK55ED. Основные параметры

   Наименование производителя: DK55ED
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 29 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO251
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам