Справочник транзисторов. DK55ED

 

Биполярный транзистор DK55ED - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: DK55ED
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 29 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для DK55ED

 

 

DK55ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  jdsemi
dk55ed.pdf

DK55ED
DK55ED

RDK55ED www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222F

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top