DK55SD - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

DK55SD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DK55SD
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 43 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO252 TO251
 

 Аналоги (замена) для DK55SD

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK55SD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  jdsemi
 dk55sd.pdf pdf_icon

DK55SD

RDK55SD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast 2and Switch-mode power supplies 122

 ..2. Size:117K  jdsemi
 dk55sd 2.pdf pdf_icon

DK55SD

RDK55SD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222F

Другие транзисторы... DK53ADL , DK53D , DK53DL , DK53H , DK53TD , DK54DL , DK55A , DK55ED , 2N3906 , E13005SDL , H13003 , H13003AD , H13003ADL , H13003AH , H13003D , H13003DL , H13003H .

History: STC603PI | 2SD983 | BC559AP

 

 
Back to Top

 


 
.