DK55SD - описание и поиск аналогов

 

Аналоги DK55SD. Основные параметры


   Наименование производителя: DK55SD
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 43 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO252 TO251

 Аналоги (замена) для DK55SD

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK55SD даташит

 ..1. Size:118K  jdsemi
 dk55sd.pdf pdf_icon

DK55SD

R DK55SD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast 2 and Switch-mode power supplies 1 2 2

 ..2. Size:117K  jdsemi
 dk55sd 2.pdf pdf_icon

DK55SD

R DK55SD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2 F

Другие транзисторы... DK53ADL , DK53D , DK53DL , DK53H , DK53TD , DK54DL , DK55A , DK55ED , 13007 , E13005SDL , H13003 , H13003AD , H13003ADL , H13003AH , H13003D , H13003DL , H13003H .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.