DK55SD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DK55SD  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 43 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO252 TO251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DK55SD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK55SD даташит

 ..1. Size:118K  jdsemi
 dk55sd.pdf pdf_icon

DK55SD

R DK55SD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast 2 and Switch-mode power supplies 1 2 2

 ..2. Size:117K  jdsemi
 dk55sd 2.pdf pdf_icon

DK55SD

R DK55SD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2 F

Другие транзисторы: DK53ADL, DK53D, DK53DL, DK53H, DK53TD, DK54DL, DK55A, DK55ED, 2SD718, E13005SDL, H13003, H13003AD, H13003ADL, H13003AH, H13003D, H13003DL, H13003H