Биполярный транзистор 3DD13001_A1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD13001_A1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 3DD13001_A1
3DD13001_A1 Datasheet (PDF)
3dd13001 a1.pdf
NPN R 3DD13001 A1 3DD13001 A1 NPN VCEO 400 V IC 0.25 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13001.pdf
3DD13001 0.2A , 600V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 Power switching applications ADBCLASSIFICATION OF hFE(1) Product-Rank 3DD13001-A 3DD13001-B E CFRange 17~23 20~26 G H1Base 1113 2Collector 222Emitter 3Emitter 333
3dd13001b.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 3DD13001B TRANSISTOR (NPN)FEATURE power switching applications TO-92 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER Equivalent Circuit 1300113001=Device code S 6B S 6B=Code 1ORDERING INFORMATION Part Number Package Packing Method Pack Quantity 3DD13001B TO-92 Bulk 1000pcs/BagB-TA
3dd13001.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 3DD13001 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE 2. COLLECTOR FEATURES Power switching applications 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 450 V VEBO Emitter-Base Volta
3dd13001.pdf
3DD13001(NPN)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. BASE 4.455.21 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4.322.92 5.33MINFeatures power switching applications 3.43MIN2.412.67MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.182.034.19Symbol Parameter Value Units2.671.14VCBO Collector -Base Voltage 600 V 1.402.03VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V 2.67VEB
3dd13001a1.pdf
NPN R 3DD13001 A1 3DD13001 A1 NPN VCEO 400 V IC 0.25 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13001p.pdf
NPN R 3DD13001 P 3DD13001 P NPN VCEO 400 V IC 0.17 A Ptot Ta=25 0.6 W
3dd13001p1.pdf
NPN R 3DD13001 P1 3DD13001 P1 NPN VCEO 400 V IC 0.2 A Ptot Ta=25 0.6 W
3dd13001.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors3DD13001 Features1.70 0.1 Collector-emitter Voltage: V(BR)CEO=400V Collector Current: IC=0.2A0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 600 VCollector-Emitter Voltage VCEO 400 VEmitter-Base Voltage VEBO 7 VCollector Current -
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
