2SB1580 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB1580  📄📄 

Маркировка: BN*

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB1580

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1580 даташит

 ..1. Size:64K  rohm
2sb1580 2sb1316 2sb1567.pdfpdf_icon

2SB1580

2SB1580 / 2SB1316 / 2SB1567 Transistors Power Transistor (-100V , -2A) 2SB1580 / 2SB1316 / 2SB1567 Features External dimensions (Units mm) 1) Darlington connection for high DC current gain. 2SB1580 4.0 2) Built-in resistor between base and emitter. 1.0 2.5 0.5 3) Built-in damper diode. (1) 4) Complements the 2SD2195 / 2SD1980 / 2SD2398. (2) (3) (1) Base(Gate) (2) Collector(Dr

 ..2. Size:865K  kexin
2sb1580.pdfpdf_icon

2SB1580

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB1580 SOT-89 Unit mm 1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-100V Complements the 2SD2195 C 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base B 2.Collector 3.Emitter R1 R2 E R1 3.5k R2 300 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO

 8.1. Size:78K  panasonic
2sb1589.pdfpdf_icon

2SB1580

Transistors 2SB1589 Silicon PNP epitaxial planar type Unit mm For low-frequency output amplification 4.5 0.1 1.6 0.2 1.5 0.1 Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Large collector power dissipation PC 1 23 Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment 0.4 0.08 0.5 0.08 0.4 0.04 and automatic insertion through the tape packi

 8.2. Size:40K  panasonic
2sb1589 e.pdfpdf_icon

2SB1580

Transistor 2SB1589 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency output amplification Unit mm 1.5 0.1 4.5 0.1 Features 1.6 0.2 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector power dissipation PC. 45 Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the maga- zine packing. 0.4

Другие транзисторы: 3DG40005AS-H, 3DG44, BU406_A8, UMZ7N, BC846BPN, EMZ8, XN4601, BCV27T, 2N4401, 2SD2212, MUN2231, DTA113ZCA, DTA113ZM, DTA115TCA, DTA115TE, DTA115TM, DTA123YM