SD1538-8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD1538-8

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 583 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 11 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: 400-2L-FLG

 Аналоги (замена) для SD1538-8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD1538-8 даташит

 ..1. Size:13K  advanced-semi
 sd1538-8.pdf pdf_icon

SD1538-8

ASI SD1538-8 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR PACKAGE STYLE 400 2L FLG (A) DESCRIPTION A 4x .062 x 45 .040 x 45 The ASI SD1538-8 is a Common 2xB C Base Device Designed for DME IFF, F E and TACAN Pulse Applications. D G 2xR FEATURES INCLUDE H I J K Gold Metelization L InputMatching P N Broad Band Performance M MINIMUM MAXIMUM DIM

 7.1. Size:71K  st
 sd1538-08.pdf pdf_icon

SD1538-8

SD1538-08 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .DESIGNED FOR HIGH POWER PULSE IFF, DME, AND TACAN APPLICATIONS .200 W (typ.) IFF 1030 - 1090 MHz .150 W(min.) DME 1025 - 1150 MHz .140 W (typ.) TACAN 960 - 1215 MHz .7.8 dB MIN. GAIN .REFRACTORY GOLD METALLIZATION .400 x .400 2LFL (M138) .BALLASTING AND LOW THERMAL hermetically sealed RESISTANCE FOR RELIABILITY AND ORDER

 8.1. Size:71K  st
 sd1538.pdf pdf_icon

SD1538-8

SD1538-02 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS .DESIGNED FOR HIGH POWER PULSED IFF, DME, TACAN APPLICATIONS .200 WATTS (typ.) IFF 1030 - 1090 MHz .150 WATTS (min.) DME 1025 - 1150 MHz .140 WATTS (typ.) TACAN 960 - 1215 MHz .7.8 dB MIN. GAIN .REFRACTORY GOLD METALLIZATION .400 SQ. 2LFL (M103) .EMITTER BALLASTING AND LOW epoxy sealed THERMAL RESISTANCE FOR ORDER CODE BRA

 8.2. Size:57K  panasonic
 2sd1538.pdf pdf_icon

SD1538-8

Power Transistors 2SD1538, 2SD1538A Silicon NPN epitaxial planar type Unit mm 8.5 0.2 3.4 0.3 For low-voltage switching 6.0 0.5 1.0 0.1 Complementary to 2SB1070 and 2SB1070A Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) 1.5max. 1.1max. High-speed switching N type package enabling direct soldering of the radiating fin to 0.8 0.1 0.5max. the printed circ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSS1C200LT1G, SBT5853PT1G, SBT5853PT2G, ZX5T150, ZX5T250, ZXTP2013, SD1441, SD1477, MJE350, TP9380, TPV375, 2N2221AUA, 2N2221AUB, 2N22221AL, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N3418S