WT5611 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: WT5611 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1250 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 250 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6.5
Корпус транзистора: DISK55
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для WT5611
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
WT5611 даташит
Другие транзисторы: 2N3419S, 2N3420S, 2N3421S, 2N5151L, 2N5152L, 2N5153L, 2N5154L, 2N6193U3, 2N3904, WT5650, WT5651, WT5652, 13003, 13003A, 13003C, 13003D, 13003E
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet

