Биполярный транзистор WT5611 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: WT5611
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 250 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6.5
   Корпус транзистора: DISK55
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам