STF22907GW datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STF22907GW  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: GW

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для STF22907GW

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STF22907GW даташит

 ..1. Size:140K  ssdi
 stf22907gw.pdf pdf_icon

STF22907GW

 9.1. Size:44K  st
 stf2222a.pdf pdf_icon

STF22907GW

STF2222A SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR PRELIMINARY DATA Type Marking STF2222A 20F SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR MINIATURE SOT-89 PLASTIC PACKAGE FOR SURFACE MOUNTING CIRCUITS TAPE & REEL PACKING THE PNP COMPLEMENTARY TYPE IS STF2907A APPLICATIONS SOT-89 WELL SUITABLE FOR PORTABLE EQUIPMENT SMALL LOAD SWITCH TRANSISTOR WITH HIGH GAIN AND LOW SATURATION VOLTAG

 9.2. Size:206K  st
 2stf2280.pdf pdf_icon

STF22907GW

2STF2280 Low voltage high performance PNP power transistor Preliminary data Features Low collector-emitter saturation voltage High current gain characteristic 4 Fast switching speed 3 2 1 Applications DC-DC converter, voltage regulation SOT-89 General purpose switching equipment Description Figure 1. Internal schematic diagram The device is a PNP transistor

 9.3. Size:241K  st
 2stf2220.pdf pdf_icon

STF22907GW

2STF2220 High gain Low Voltage PNP power transistor Features Very low Collector to Emitter saturation voltage D.C. Current gain, hFE >100 1.5 A continuous collector current Applications Power management in portable equipment SOT-89 Switching regulator in battery charger applications Description The device in a PNP transistor manufactured Figure 1. Internal sche

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: STBV42D, STBV45D, STC03DE170HP, STC03DE170HV, STC03DE220HP, STC03DE220HV, STC04IE170HP, STC04IE170HV, A940, STI13005-1, STI13005H, STL128DFP, STL128DNFP, STLD128DNT4, STD01N, STD01P, STD127DT4