Биполярный транзистор STF22907GW - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STF22907GW
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: GW
Аналоги (замена) для STF22907GW
STF22907GW Datasheet (PDF)
stf22907gw.pdf
SFT22907GW Series Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com Dual Microminiature Package DESIGNERS DATA SHEET 600 mA 60 Volts Part Number / Ordering Information 1/ Complimentary NPN & PNP SFT22907 GW __ Transistor Screening 2/ __ = Commercial
stf2222a.pdf
STF2222ASMALL SIGNAL NPN TRANSISTORPRELIMINARY DATAType MarkingSTF2222A 20F SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTOR MINIATURE SOT-89 PLASTIC PACKAGEFOR SURFACE MOUNTING CIRCUITS TAPE & REEL PACKING THE PNP COMPLEMENTARY TYPE ISSTF2907AAPPLICATIONS SOT-89 WELL SUITABLE FOR PORTABLEEQUIPMENT SMALL LOAD SWITCH TRANSISTOR WITHHIGH GAIN AND LOW SATURATIONVOLTAG
2stf2280.pdf
2STF2280Low voltage high performance PNP power transistorPreliminary dataFeatures Low collector-emitter saturation voltage High current gain characteristic4 Fast switching speed321Applications DC-DC converter, voltage regulationSOT-89 General purpose switching equipmentDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a PNP transistor
2stf2220.pdf
2STF2220High gain Low Voltage PNP power transistorFeatures Very low Collector to Emitter saturation voltage D.C. Current gain, hFE >100 1.5 A continuous collector currentApplications Power management in portable equipmentSOT-89 Switching regulator in battery charger applicationsDescriptionThe device in a PNP transistor manufacturedFigure 1. Internal sche
stb22nm60n stf22nm60n sti22nm60n stp22nm60n stw22nm60n.pdf
STB22NM60N, STF22NM60N, STI22NM60NSTP22NM60N, STW22NM60NN-channel 600 V, 0.2 , 16 A MDmesh II Power MOSFETin D2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.31332STB22NM60N 650 V
stb22nm60n stf22nm60n stp22nm60n.pdf
STB22NM60N, STF22NM60N, STP22NM60NDatasheetN-channel 600 V, 0.20 typ., 16 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packagesFeaturesTABVDS @31 RDS(on)max. IDOrder code2D PAKTjmax.321TO-220FPTAB STB22NM60NSTF22NM60N 650 V 0.22 16 A32 STP22NM60N1TO-220 100% avalanche testedD(2, TAB) Low input capacitance and gate charg
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050