Справочник транзисторов. 3DA30B

 

Биполярный транзистор 3DA30B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DA30B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 3DA30B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA30B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:110K  no
 3da30a-g.pdf pdf_icon

3DA30B

3DA30 NPN A B C D E F G PCM Tc=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=1mA 25 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 50 100 150 300 250 300 V ICEO VCE=20V 1 mA IC=1.5A VCEsat 0.8 V IB=0.3A

 9.2. Size:213K  foshan
 2sc3063 3da3063.pdf pdf_icon

3DA30B

2SC3063(3DA3063) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Video output amplifier. :, Features: High V , low C . CEO ob/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 7.0 V EBO I 100 mA C I 200 mA

Другие транзисторы... 3DA3852R , 3DA2522 , 3DA2611 , 3DA2621 , 3DA2654 , 3DA2688 , 3DA2983 , 3DA30A , 2N5401 , 3DA30C , 3DA30D , 3DA30E , 3DA30F , 3DA30G , 3DA3063 , 3DA5147 , 3DA5192 .

 

 
Back to Top

 


 
.